Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
полупроводники

Add to Quick Collection   All 92 Results

Showing items 1 - 15 of 92.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Physica E: Low-dimensional systems and nanostructures. 2014. Vol. 60. P. 11-16
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: The European physical journal B. 2012. Vol. 85. P. 149 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 11/2. С. 20-25
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Исследованы основные параметры щелевой линии, используемой для возбуждения волн геликонового типа. Определены компоненты векторов напряженности электрического и магнитного полей, вектора Пойнтинга и х ... More
Source: Journal of physics and chemistry of solids. 2013. Vol. 74, № 9. P. 1240-1248
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 27-29
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Scientific Reports [Еlectronic resource]. 2016. Vol. 6. P. 24137 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: We report an ab initio study of the effect of hydrostatic pressure and uniaxial strain on electronic properties of KNa2Bi, a cubic bialkali bismuthide. It is found that this zero-gap semimetal with an ... More
Source: Journal of applied physics. 2018. Vol. 124, № 2. P. 025704-1-025704-8
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: The method of photoconductive detection of defect-related vibrational modes in semiconductors by Fano resonances is validated by a combined photoconductivity and infrared absorption study of the inter ... More
Source: Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2014. Vol. 117, № 3. P. 1509-1516
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 2. P. 171-179
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Halogen (F, Cl, Br, and I) adsorption at an As-stabilized GaAs (001) surface with the β2–(2 × 4) reconstruction is studied using the plane-wave projected-augmented wave method. The effect of halogens ... More
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 1. P. 49-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 155-163
Type: статьи в журналах
Date: 2005

Date

^