Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 233 Results

Showing items 16 - 30 of 233.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Численное моделирование униполярных барьерных фоточувствительных структур на основе МЛЭ n-HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 9. С. 5-16
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлены описание методики и результаты моделирования энергетической диаграммы, а также электрофизических и фотоэлектрических характеристик униполярных барьерных структур на основе гетероэпитаксиа ... More
Add   О нагреве Cd0,22Hg0,78Te в процессе ионно-лучевого травления
Authors: Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 2 : Стендовые доклады. С. 408-410
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Add   Физические основы полупроводниковой фотоэлектроники : учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлениям подготовки 200200 – "Оптотехника", 200700 – "Фотоника и оптоинформатика" и 200500 – "Лазерная техника и лазерные технологии"]
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович | Савчин, Владимир Петрович | Вакив, Николай Михайлович
Date: 2013
Add   Особенности моделирования частотных зависимостей адмиттанса МДП-структуры на основе органической пленки P3HT с диэлектрическим слоем Al2O3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 11. С. 162-169
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Для режимов обеднения и обогащения предложены эквивалентные схемы МДП-структуры на основе органической тонкой пленки (P3HT) с диэлектриком Al2O3. Проведено моделирование частотных зависимостей емкости ... More
Add   Переходная электролюминесценция структур ОСИД с эмиссионным слоем на основе Alq3
Authors: Зятиков, Илья Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Тельминов, Евгений Николаевич | Дегтяренко, Константин Михайлович | Медведев, Михаил Дмитриевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 252-255
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Адмиттанс барьерных структур на основе теллурида кадмия – ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 3. С. 76-87
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Представлены результаты исследований адмиттанса униполярных барьерных структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs (013). С использованием па ... More
Add   Методы измерения дрейфовой подвижности носителей заряда в излучающих структурах на основе полимерных органических полупроводниковых материалов
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Илья Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 109-112
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Долговременная стабильность CdHgTe n+-n-структур, сформированных ионным травлением
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Бончик, Александр Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Фицич, Елена Ивановна | Савицкий, Григорий Владимирович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 222-226
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Моделирование и оптимизация параметров слоев униполярных фоточувствительных nBn-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe для детектирования в MWIR диапазоне
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 44-53
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Определены оптимальные параметры фоточувствительной униполярной барьерной структуры, которая обладает фоточувствительностью в диапазоне 1−3 мкм, посредством расчета зависимостей максимальной обнаружит ... More
Add   Влияние удельной энергии ребер на величину активационного барьера нуклеации при росте квантовых точек германия на кремнии
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Определение параметров многочастичного состава носителей заряда в CdHgTe. I. Обзор методов анализа спектров подвижности
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 9. С. 106-121
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: В работе, состоящей из двух частей, представлено детальное рассмотрение предложенного авторами метода дискретного анализа спектра подвижности и его применения для исследования параметров носителей зар ... More
Add   Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 36-49
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Адмиттанс органических светодиодных структур с эмиссионным слоем ЯК-203
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 2. С. 107-113
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики и адмиттанс многослойных структур для органических светодиодов на основе системы PEDOT:PSS/NPD/ЯК-203/B ... More
Add   Электрофизические характеристики МДП-структур на основе пентацена с диэлектриком SiO2
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Черников, Евгений Викторович | Калыгина, Вера Михайловна | Новиков, Вадим Александрович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 1. С. 79-87
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: В широком диапазоне частот и температур экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе органических пленок пентацена, сформированных методом термовакуумного напыления на подложках из SiO ... More
Add   Вольт-амперные характеристики nBn-структур на основе эпитаксиальных пленок кадмий-ртуть-теллур
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description: Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К. ... More

Creator

Date

Subject

Resource Type

^