Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 236 Results

Showing items 121 - 135 of 236.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Влияние приповерхностных варизонных слоев на адмиттанс МДП-структур на основе молекулярно-лучевой эпитаксии n(p)-Hg1-xCdxTe (x = 0,21...0,23) в диапазоне температур 9...77 К
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Кульчицкий, Николай Александрович
Source: Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3-20
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Рассмотрены возможности исследования электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hgi _ xCdxTe (x = 0,21...0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне темпер ... More
Add   Влияние параметров приповерхностных варизонных слоев на электрофизические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального p-Hg0,78Cd0,22Te
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 150-151
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Анализ спектров фотолюминесценции гетероэпитаксиальных структур на основе CdxHg1–xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Горн, Дмитрий Игоревич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Гольдин, Виктор Данилович | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Сидоров, Юрий Георгиевич | Якушев, Максим Витальевич | Варавин, Василий Семенович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8. С. 50-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Генерация поверхностных дефектов в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe мягким рентгеновским излучением лазерной плазмы
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Ижнин, Игорь Иванович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность селективного воздействия на атомы отдельного элемента на поверхности кристалла, построенного из атомов нескольких химических элементов, с помощью мягкого рентгеновского излучения.
Add   Особенности поведения дифференциальной емкости МДП-структуры при наличии слоев CdTe в варизонном слое полупроводниковой пленки HgCdTe
Authors: Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 95-97
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Подвижность носителей заряда в OLED структурах с излучающими слоями ЯК-203 и Alq3
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Коханенко, Андрей Павлович | Копылова, Татьяна Николаевна | Дегтяренко, Константин Михайлович | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 364-365
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Add   Концентрация основных носителей заряда в приповерхностном варизонном слое МЛЭ n(p)-HgCdTe, определенная из емкостных измерений
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекул ... More
Add   Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие : [для студентов вузов по укрупненной группе специальностей и направлений подготовки 12.00.00 "Фотоника, приборостроение, оптические и биотехнические системы и технологии" по направлениям подготовки магистратуры 12.04.02 Оптотехника, 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика]
Authors: Соснин, Эдуард Анатольевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Солдатов, Анатолий Николаевич
Type: учебные издания
Date: 2019
Description: Технические системы развиваются по определенным законам и правилам, используя которые можно ускорить процесс развития. Методологическую базу книги составляют законы эволюции целенаправленных систем (А ... More
Add   Сигнальные и темновые свойства инфракрасных барьерных детекторов на основе теллурида кадмия ртути
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2020. С. 413-414
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: Приведен^! результаты экспериментальн^гх исследований сигнальн^гх и темновых характеристик средневолновых инфракрасн^гх nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитакс ... More
Add   Теория решения изобретательских задач в фотонике : учебное пособие : [для студентов университетов, обучающихся по направлениям подготовки "Фотоника и оптоинформатика", "Светотехника и источники света" и "Биофотоника"]
Authors: Соснин, Эдуард Анатольевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Солдатов, Анатолий Николаевич
Type: учебные издания
Date: 2015
Add   Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов
Authors: Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Паханов, Николай Андреевич
Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива ... More
Add   Модельное представление пропускания мощного импульсного лазерного ИК-излучения в области фундаментального поглощения в эпитаксиальных слоях CdxHg1–xTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Шульга, Сергей Анатольевич | Средин, Виктор Геннадиевич | Талипов, Нияз Хатимович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 54-58
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглоще ... More
Add   Вклад механических напряжений в формирование поверхностного рельефа при лазерном облучении полупроводников
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Сахаров, Михаил Викторович | Талипов, Нияз Хатимович | Средин, Виктор Геннадиевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 125-128
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Add   Типы детекторов терагерцового излучения
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Кульчицкий, Николай Александрович | Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук) | Мальцев, Петр Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Нано- и микросистемная техника. 2012. № 3. С. 25-34
Type: статьи в журналах
Date: 2012

Creator

Date

Subject

Resource Type

^