Add to Quick Collection
All 57 Results
Showing items 1 - 15 of 57.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S
... More
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9/2. С. 21-26
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9/2. С. 49-51
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Type: диссертации
Date: 1967
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 9. С. 3-10
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Двумерные материалы стали одной из центральных тем исследования ученых по всему миру после получения графена – моноатомного слоя углерода. В настоящее время двумерные кристаллы рассматриваются в качес
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 1. С. 50-56
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Description:
Построена модель для расчета деформаций в структуре из произвольного числа тонких кристаллических слоев Si и Ge на неупругой пленке. Определены относительные деформации в слоях псевдоморфных Si и Ge в
... More
Source: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 3. P. 171-177
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 231-234
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
В работе описывается кинетическая модель роста квантовых точек германия на кремнии по механизму Странского–Крастанова, учитывающая зависимость удельной поверхностной энергии граней пирамиды от толщины
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Type: диссертации
Date: 2016
Source: Physical Review B. 2014. Vol. 90, № 3. P. 035430-1-035430-6
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 106, № 3. P. 032104-1-032104-4
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
We report on intraband photocurrent spectroscopy of dome-shaped GeSi islands embedded in a Si matrix with n+-type bottom and top Si layers. An in-plane polarized photoresponse in the 85–160 meV energy
... More
Source: Applied physics letters. 2015. Vol. 107, № 21. P. 213502-1-213502-4
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
We study the effect of quantum dot size on the mid-infrared photo- and dark current, photoconductive gain, and hole capture probability in ten-period p-type Ge/Si quantum dot heterostructures. The dot
... More