Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | Дзядух, Станислав Михайлович

Add to Quick Collection   All 102 Results

Showing items 46 - 60 of 102.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 364-365
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результат ... More
Source: Сборник трудов XII Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2020" Санкт-Петербург, 19-23 октября 2020 год. СПб., 2020. С. 276-278
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: Изготовлены nBn-структуры на основе МЛЭ HgCdTe для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 мкм. Представлены результаты исследований темнового тока и адмиттанса nBn-структур, а также адмиттанса те ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 15-21
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведено численное моделирование низкочастотных и высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе n-Hg0,70Cd0,30Te с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержани ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекул ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 132-134
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность селективного воздействия на атомы отдельного элемента на поверхности кристалла, построенного из атомов нескольких химических элементов, с помощью мягкого рентгеновского излучения.
Source: Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3-20
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Рассмотрены возможности исследования электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hgi _ xCdxTe (x = 0,21...0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне темпер ... More
Source: IX Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2020. С. 413-414
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description: Приведен^! результаты экспериментальн^гх исследований сигнальн^гх и темновых характеристик средневолновых инфракрасн^гх nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитакс ... More

Date

^