Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
квантовые точки

Add to Quick Collection   All 106 Results

Showing items 1 - 15 of 106.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 384. P. 125289 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Nowadays, two-dimensional crystals (2D materials) and structures with quantum dots (0D materials) are considered
Source: Physical chemistry chemical physics. 2015. Vol. 17, № 44. P. 30052-30056
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Experimental results indicate a particular importance of such a value as the equilibrium thickness of the wetting layer during epitaxial growth according to the Stranski–Krastanow mechanism in systems ... More
Source: Crystal growth and design. 2015. Vol. 15, № 3. P. 1055-1059
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 5. P. 910 (1-20)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: In this work, the formation, structural properties, and energy spectrum of novel self-assembled GaSb/AlP quantum dots (SAQDs) were studied by experimental methods. The growth conditions for the SAQDs’ ... More
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012019 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: In this paper refining of mathematical model for calculation of parameters of selforganised quantum dots (QDs) of Ge on Si grown by the method of molecular beam epitaxy (MBE) is done. Calculations of ... More
Source: Current applied physics. 2020. Vol. 20, № 7. P. 877-882
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: The paper is devoted to optical testing of mid-infrared Ge/Si photodetectors obtained by stacking of self-assembled
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 6. С. 44-47
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description: На основании рассчитанной плотности состояний была получена вольт-амперная характеристика туннельного контакта графеновая нанолента – квантовые точки. Построены зависимости от геометрических характери ... More
Source: Surface science. 2014. Vol. 619. P. 1-4
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 52-59
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Description: Исследован перенос энергии электронного возбуждения с квантовых точек CdSe/ZnS на молекулы эозина в полимерной матрице поливинилбутираля. Определены основные характеристики переноса. Методами люминесц ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 12. С. 15-23
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Рассматривается экситон Ванье – Мотта в полупроводниковой квантовой точке. Исследуется влияние поляризации среды и эффекта экранирования кулоновского взаимодействия между электроном и дыркой на свойст ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 2. С. 104-109
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Рассматривается эпитаксиальный рост квантовых точек германия на окисленной поверхности кремния. Предложена кинетическая модель зарождения и роста трехмерных островков по механизму Фольмера – Вебера в ... More

Date

^