Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 233 Results

Showing items 76 - 90 of 233.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Наногетероструктуры Ge/Si с упорядоченными квантовыми точками Ge для применения в оптоэлектронике
Authors: Пчеляков, Олег Петрович | Двуреченский, Анатолий Васильевич | Никифоров, Александр Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Григорьев, Денис Валерьевич | Коханенко, Андрей Павлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования ... More
Add   Гистерезисные явления в МДП-структурах на основе варизонного МЛЭ HgCdTe с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл ... More
Add   Функциональная акустоэлектроника : учебное пособие : [для студентов вузов, обучающихся по направлению подготовки 200600 "Фотоника и оптоинформатика"]
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Скрыльников, Александр Аркадьевич
Type: учебные издания
Date: 2013
Add   Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More
Add   Униполярные барьерные детекторы коротковолновой области инфракрасного диапазона : [монография]
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Горн, Дмитрий Игоревич | Войцеховский, Александр Васильевич
Type: монографии
Date: 2021
Description: В монографии приведен анализ основных достижений в области использования архитектур полупроводниковых фотоприемных устройств, содержащих униполярные барьеры. Рассмотренные разработки демонстрируют улу ... More
Add   Диффузионное ограничение темнового тока в nBn-структурах на основе МЛЭ HgCdTe
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур ... More
Add   Высокочувствительные двухслойные фоторезисторы на основе р-CdxHg1-xTe с конвертированным приповерхностным слоем
Authors: Исмайлов, Намик Джамиль оглы | Талипов, Нияз Хатимович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12. С. 122-127
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Приведены результаты экспериментального исследования фотоэлектрических характеристик двухслойных фоторезисторов на основе р -Cd x Hg1-x Te ( x = 0.24-0.28) с тонким приповерхностным слоем n -типа пров ... More
Add   Фотопроводимость в магнитном поле пленок р-типа кадмий-ртуть-теллур, выращенных методом жидкофазной эпитаксии
Authors: Костюченко, Владимир Яковлевич | Протасов, Дмитрий Юрьевич | Андрусов, Юрий Борисович | Денисов, Игорь Андреевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 12. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Изучена фотопроводимость в магнитном поле для геометрии Фарадея на пленках кадмий – ртуть – теллур р-типа, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках кадмий – цинк – теллур. Из магнитополев ... More
Add   Моделирование кинетики формирования клиновидных квантовых точек германия на кремнии
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович
Source: Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2014. Т. 78, № 10. С. 1312-1316
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Aдмиттанс МДП-структур на основе nBn-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3−5 µm
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барье ... More
Add   Поверхностные дефекты в эпитаксиальных слоях твердых растворов CdxHg1-xTe, создаваемые мягким рентгеновским излучением
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Юрчак, Валерий Аркадьевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59-63
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность селективного поверхностного дефектообразования при облучении мягким рентгеновским излучением эпитаксиальных слоев Cd x Hg 1-x Te за счет избирательного воздействия излучения на от ... More
Add   Модификация поверхности твердых растворов CdхHg1-хTe рентгеновским излучением
Authors: Средин, Виктор Геннадиевич | Ананьин, Олег Борисович | Мелехов, Андрей Петрович | Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Исследованы электрофизические характеристики МДП-структур на основе Cdx Hg1-xTe до и после воздействия рентгеновским излучением с энергией квантов в диапазоне E = 0,5 ÷ 12 кэВ. Показано, что воздейств ... More
Add   Фотолюминесценция структур КРТ с потенциальными ямами
Authors: Войцеховский, Александр Васильевич | Ижнин, Игорь Иванович | Ижнин, Александр Иванович | Горн, Дмитрий Игоревич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 274-276
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Add   Емкостные свойства МДП-систем на основе nBn-структуры из МЛЭ HgCdTe
Authors: Несмелов, Сергей Николаевич | Дзядух, Станислав Михайлович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Сидоров, Георгий Юрьевич | Якушев, Максим Витальевич | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-систем на основе nBn-структуры из HgCdTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013), впервые исследованы при разных частотах и ... More
Add   Состав носителей в имплантированных бором МЛЭ пленках р-CdHgTe
Authors: Ижнин, Игорь Иванович | Войцеховский, Александр Васильевич | Коротаев, Александр Григорьевич | Мынбаев, Карим Джафарович | Варавин, Василий Семенович | Дворецкий, Сергей Алексеевич | Михайлов, Николай Николаевич (физик) | Якушев, Максим Витальевич | Świątek, Zbignew
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 220-222
Type: статьи в сборниках
Date: 2021

Creator

Date

Subject

Resource Type

^