Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
труды ученых ТГУ
|
2005
|
комплексообразование GaAs, модель
|
Ивонин, Иван Варфоломеевич
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
2 MB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
Creator
Лаврентьева, Людмила Германовна
Creator
Ивонин, Иван Варфоломеевич
Contributor
Томский государственный университет Физический факультет Кафедра физики полупроводников
Subject
Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (Томск)
эпитаксия полупроводников
монокристаллы, выращивание
автоэпитаксия полупроводников
гомоэпитаксия полупроводников
гетероэпитаксия полупроводников
подложки
эпитаксиальные технологии
эпитаксия молекулярно-лучевая
эпитаксия газофазовая
эпитаксия жидкофазовая
арсенид галлия, эпитаксия
германий, эпитаксия
рост кристаллов GaAs, анизотропия
легирование GaAs
физика роста кристаллов
термодинамика транспортных реакций
гетеропереходы
комплексообразование GaAs, модель
полупроводники тройные, синтез
физика поверхностей полупроводников
сверхпроводниковые аномалии в LT-GaAs
кристаллическая решетка LT-GaAs
физика поверхностей, моделирование
наноразмерные структуры
труды ученых ТГУ
Date
2005
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Физический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000328904
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328904
Type
статьи в журналах
Source
Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 17-23
Language
rus
1971 Visitors
1767 Hits
244 Downloads
Preview
Журналы ТГУ
Физический факультет
Основные этапы развития научного направления по эпитаксии полупроводников в СФТИ
^ DIV >