Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
труды ученых ТГУ
|
2005
|
квантовые явления
|
Вяткин, Анатолий Петрович
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
617 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
Creator
Вяткин, Анатолий Петрович
Creator
Максимова, Надежда Кузьминична
Creator
Филонов, Николай Григорьевич
Contributor
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Subject
физика полупроводников
электрофизические свойства
барьеры
Шоттки барьер
арсенид галлия
электрические характеристики структур
структуры
научные исследования
квантовые явления
труды ученых ТГУ
Date
2005
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000328937
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000328937
Type
статьи в журналах
Source
Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 121-128
Language
rus
2012 Visitors
1853 Hits
183 Downloads
Preview
Журналы ТГУ
Сибирский физико-технический институт
Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на GaAs
^ DIV >