Add to Quick Collection
All 8 Results
Showing items 1 - 8 of 8.
Add All Items to Quick Collection
Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : Abstracts. Tomsk, 2015. P. 209
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Russian physics journal. 2015. Vol. 58, № 7. P. 965-969
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Results of investigations into the synthesis of heterostructures based on Ge–Si–Sn materials by the method of low-temperature molecular beam epitaxy are presented. The formation of epitaxial films dur
... More
Source: 12th International Conference "Gas Discharge Plasmas and Their Applications" GDP 2015, September 6-11, 2015, Tomsk, Russia : Abstracts. Tomsk, 2015. P. 210
Type: статьи в сборниках
Date: 2015
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 10/3. С. 141-143
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты исследований влияния объемного наносекундного разряда на электронные свойства приповерхностной области эпитаксиальных пленок КРТ. Обнаружено, что распределение поверхностного п
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 7. С. 81-85
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Представлены результаты исследований по синтезу гетероструктур на основе материалов Ge–Si–Sn методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. Формирование эпитаксиальных пленок контролировало
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 65-66
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Прикладная физика. 2012. № 1. С. 82-89
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 10. С. 88-90
Type: статьи в журналах
Date: 2011