Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
гетероструктуры

Add to Quick Collection   All 8 Results

Showing items 1 - 8 of 8.
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Heterostructures with self-organized quantum dots of Ge on Si for optoelectronic devices
Authors: Voytsekhovskiy, Alexander V. | Kokhanenko, Andrey P. | Satdarov, Vadim G. | Pchelyakov, Oleg P. | Nikiforov, Alexander I. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Opto-electronics review. 2014. Vol. 22, № 3. P. 171-177
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Прыжковый перенос носителей заряда в светодиодах на основе множественных квантовых ям InGaN/GaN
Authors: Прудаев, Илья Анатольевич | Бактыбаев, Азамат Абдухашимулы | Романов, Иван Сергеевич | Зубрилкина, Юлия Леонидовна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 9. С. 88-89
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Светодиодные структуры InGaN/GaN с короткопериодной сверхрешеткой, выращенные на планарной и профилированной сапфировых подложках
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Брудный, Валентин Натанович | Копьев, Виктор Васильевич | Новиков, Вадим Александрович | Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Сабитов, Дамир Равильевич | Мазалов, Александр Владимирович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 11. С. 134-137
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Температурная зависимость квантового выхода структур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при фото- и электролюминесценции
Authors: Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Ширапов, Сергей Баирович | Толбанов, Олег Петрович | Хлудков, Станислав Степанович | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 30-32
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Spectral characteristics of Si:Ge and Hg1–xCdхTe heterostructures
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Yatskiy, Alexey V.
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 269-270
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Влияние блокирующего слоя AlGaN на люминесцентные характеристики светодиодных гетероструктур InGaN/GaN
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 56-57
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Оптимизация технологических параметров роста пленок GaN:Mg
Authors: Мармалюк, Александр Анатольевич | Курешов, Владимир Александрович | Мазалов, Александр Владимирович | Сабитов, Дамир Равильевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Коханенко, Андрей Павлович | Романов, Иван Сергеевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 58-59
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Температурная зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции светодиодных структур на основе InGaN/GaN
Authors: Пономарев, Иван Викторович | Романов, Иван Сергеевич | Копьев, Виктор Васильевич | Прудаев, Илья Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 89-90
Type: статьи в журналах
Date: 2012
  • «
  • ←
  • 1
  • →
  • »

Creator

Date

Subject

^