Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Войцеховский, Александр Васильевич
|
механизм роста Странского - Крастанова
|
кремний
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
443 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
Creator
Войцеховский, Александр Васильевич
Creator
Мельников, Александр Александрович (доктор физ.-мат. наук)
Creator
Несмелов, Сергей Николаевич
Creator
Коханенко, Андрей Павлович
Creator
Лозовой, Кирилл Александрович
Creator
Кульчицкий, Николай Александрович
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Subject
квантовые точки
молекулярно-лучевая эпитаксия
германий
кремний
механизм роста Странского - Крастанова
Date
2014
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Identifier
vtls:000493229
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000493229
Type
статьи в журналах
Source
Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 20-31
Language
rus
1760 Visitors
1449 Hits
339 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Технология создания структур с квантовыми точками Ge/Si молекулярно-лучевой эпитаксией
^ DIV >