Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
анодное окисление
|
Скакунов, Максим Сергеевич
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs
426 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs
Creator
Вишникина, Вера Валерьевна
Creator
Зарубин, Андрей Николаевич
Creator
Петрова, Юлианна Сергеевна
Creator
Скакунов, Максим Сергеевич
Creator
Толбанов, Олег Петрович
Creator
Тяжев, Антон Владимирович
Creator
Яскевич, Тамара Михайловна
Creator
Калыгина, Вера Михайловна
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра полупроводниковой электроники
Томский государственный университет Радиофизический факультет Публикации студентов и аспирантов РФФ
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Subject
полупроводники
арсенид галлия
анодное окисление
оксидные пленки
термический отжиг
кислородная плазма
дефекты точечные
атомные вакансии
Date
2013
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Журналы ТГУ
Радиофизический факультет
Identifier
vtls:000470563
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000470563
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16
Language
rus
3331 Visitors
3133 Hits
412 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Влияние анодного окисла на концентрацию электронов в n-GaAs
^ DIV >