Влияние технологических условий изготовления варикапов из GaAs на их характеристики: магистерская диссертация по направлению подготовки: 03.04.03 - Радиофизика

   Исследование влияния радиационных эффектов eldrs-rldrs на характеристики типовых биполярных транзисторов: магистерская диссертация по направлению подготовки: 03.04.03 - Радиофизика

   Исследование распределения удельного сопротивления и времени жизни носителей заряда по площади пластин арсенида галлия, компенсированного хромом: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика

   Моделирование лавинного S-диода из GaAs с некомпенсированным каналом: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика

   Моделирование динамических характеристик детектора ионизирующих излучений на основе арсенида галлия, легированного хромом: магистерская диссертация по направлению подготовки: 03.04.03 - Радиофизика

   Исследование влияния типов контактов на распределение электрического поля в GaAs:Cr-сенсорах: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика

   Перенос носителей заряда в структурах из GaAs с глубокими уровнями: научный доклад по направлению подготовки: 03.06.01 - Физика и астрономия

   Влияние активного сопротивления колебательного контура на переходные характеристики при коммутации лавинного S-диода: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика

   Исследование вольт-амперных характеристик сильноточных S-диодов на основе эпитаксиальных структур: магистерская диссертация по направлению подготовки: 03.04.03 - Радиофизика

   Исследование переноса заряда в множественных квантовых ямах и сверхрешетках InGaN/GaN: магистерская диссертация по направлению подготовки: 03.04.03 - Радиофизика

   Исследование переноса заряда в радиационно-стойких детекторах на основе GaAs, легированного хромом: магистерская диссертация по направлению подготовки: 03.04.03 - Радиофизика

   Исследование динамических характеристик сверхбыстрых переключателей с глубокими примесями: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика

   Оптимизация параметров структур для лавинных S-диодов путем моделирования ВАХ: выпускная бакалаврская работа по направлению подготовки: 03.03.03 - Радиофизика

   Электрические и излучательные характеристики светодиодных гетероструктур на основе соединений AlInGaP: научный доклад по направлению подготовки: 03.06.01 - Физика и астрономия

   Влияние встроенных электрических полей на перенос носителей заряда в излучающих структурах InGaN/GaN: научный доклад по направлению подготовки: 03.06.01 - Физика и астрономия