Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Войцеховский, Александр Васильевич
|
2015
|
молекулярно-лучевая эпитаксия
|
наногетероструктуры
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
549 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
Creator
Войцеховский, Александр Васильевич
Creator
Коханенко, Андрей Павлович
Creator
Лозовой, Кирилл Александрович
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Сибирский физико-технический институт Научные подразделения СФТИ
Subject
квантовые точки
кремний
германий
наногетероструктуры
молекулярно-лучевая эпитаксия
Date
2015
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000522408
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000522408
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 227-230
Language
rus
1417 Visitors
1172 Hits
252 Downloads
Preview
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Расчет критической толщины перехода от двумерного к трехмерному росту в материальной системе GexSi1-x/Si(100)
^ DIV >