Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
5 MB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
Title
Semiconductor devices based on gallium arsenide with deep impurity centers
Creator
Толбанов, Олег Петрович
Creator
Вилисова, Мария Дмитриевна
Creator
Прудаев, Илья Анатольевич
Creator
Хлудков, Станислав Степанович
Contributor
Томский государственный университет
Subject
арсенид галлия легированный
примеси переходных металлов
легирование полупроводников примесное
легирование полупроводников диффузионное
легирование эпитаксиальных слоев
арсенида галлия π-v-n-структуры
S-диоды лавинные переключающие
детекторы ионизирующих излучений
фотоприемники многоэлементные УФ диапазона
фоторезисторные приемники ИК-излучения
генераторы терагерцевого диапазона
арсенида галлия высокоомные слои
пассивация интегральных схем
арсенид галлия легированный марганцем
арсенид галлия легированный железом
арсенид галлия ферромагнитный
гетероструктуры арсенида галлия ферромагнитного
полупроводники ферромагнитные
спинтроника, материалы
генераторы дельта-импульсов
электронные структуры арсенида галлия
Date
2016
Publisher
Томск : Издательский Дом Томского государственного университета
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Сибирский физико-технический институт
Радиофизический факультет
Identifier
vtls:000551993
URN:ISBN:9785946215565
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000551993
Type
монографии
Language
rus
10212 Visitors
2479 Hits
8932 Downloads
Preview
Радиофизический факультет
Сибирский физико-технический институт
Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами
^ DIV >