Add to Quick Collection
All 9 Results
Showing items 1 - 9 of 9.
Add All Items to Quick Collection
Source: Сборник трудов X Международной конференции "Фундаментальные проблемы оптики – 2018", Санкт-Петербург, 15-19 октября 2018. СПб., 2018. С. 389-390
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Authors:
Сыворотка, Игорь Игоревич |
Swiatek, Zbigniew |
Войцеховский, Александр Васильевич |
Коротаев, Александр Григорьевич |
Мынбаев, Карим Джафарович |
Варавин, Василий Семенович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Ремесник, Владимир Григорьевич |
Якушев, Максим Витальевич |
Ижнин, Игорь Иванович
Source: XXV Международная научно-техническая конференция и школа по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 24-26 мая 2018 г., Москва, Россия : труды конференции. М., 2018. Т. 1 : Пленарные и устные доклады. С. 241-244
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Authors:
Syvorotka, I. I. |
Fitsych, Olena I. |
Varavin, Vasilii S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Marin, D. V. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Remesnik, V. G. |
Yakushev, Maxim V. |
Mynbaev, Karim D. |
Izhnin, Igor I. |
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Korotaev, A. G.
Source: Semiconductor science and technology. 2019. Vol. 34, № 3. P. 035009 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
The results from the electrical profiling of an n-on-p junction formed by 190-keV arsenic ion implantation in an indium/vacancy–doped Hg0.78Cd0.22Te film are presented. Mobility spectrum analysis in c
... More
Authors:
Izhnin, Igor I. |
Syvorotka, I. I. |
Korotaev, A. G. |
Mynbaev, Karim D. |
Varavin, Vasilii S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Remesnik, V. G. |
Yakushev, Maxim V. |
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: 6th International congress on energy fluxes and radiation effects (EFRE 2018), September 16-22, 2018, Tomsk, Russia : abstracts. Tomsk, 2018. P. 354
Type: статьи в сборниках
Date: 2018
Authors:
Izhnin, Igor I. |
Mynbaev, Karim D. |
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Korotaev, Alexander G. |
Varavin, Vasilii S. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Yakushev, Maxim V. |
Fitsych, Olena I. |
Świątek, Zbigniew
Source: Infrared physics and technology. 2021. Vol. 114. P. 103665 (1-7)
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Carrier species in arsenic-implanted p– and n–type Hg0.7Cd0.3Te films grown by molecular-beam epitaxy were investigated with the use of the Hall-effect studies and mobility spectrum analysis. The impl
... More
Authors:
Grigoryev, Denis V. |
Korotaev, A. G. |
Kokhanenko, Andrey P. |
Lozovoy, Kirill A. |
Izhnin, Igor I. |
Savytskyy, Hrygory V. |
Bonchyk, A. Yu. |
Dvoretsky, Sergei A. |
Mikhailov, Nikolay N. |
Voytsekhovskiy, Alexander V. |
Varavin, Vasilii S. |
Yakushev, Maxim V.
Source: Materials research express. 2019. Vol. 6, № 7. P. 075912 (1-8)
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
In this paper experimental results of research of boron ion implantation into Hg1−x Cd x Te epitaxial films of various compositions x are presented. Samples of epitaxial films were grown by the method
... More
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012083 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
In this work we studied the characteristics of MBE MCT films after the introduction of different energies As+ with different doses of irradiation. Some of the samples were subjected to post-implantati
... More
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 140
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
В работе представлены результаты исследований процессов накопления радиационных донорных дефектов и их отжига в подвергнутых ионной имплантации (ИИ) мышьяком (As) гетероэпитаксиальных пленках CdxHg1-x
... More
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2017. Vol. 830. P. 012081 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
The effect of ion implantation of boron ions with an energy of 100 keV and a dose of (1-6)×1015 cm-2 in the MBE HgCdTe films on the characteristics of the MIS structures based on these films was inves
... More