Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Pecularities of Hall effect	495 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.1140/epjb/e2012-30149-4

Title: Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content
Creator: Aronzon, B. A.
|
Rylkov, V. V.
|
Davydov, A. B.
|
Tugushev, V. V.
|
Caprara, S.
|
Likhachev, I. A.
|
Pashaev, E. M.
|
Chuev, M. A.
|
Lahderanta, E.
|
Vedeneev, A. S.
|
Bugaev, A. S.
|
Pankov, M. A.
Contributor: Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ
Date: 2012
DOI: 10.1140/epjb/e2012-30149-4

Created: 21-03-2013

3019 Visitors

3096 Hits

4 Downloads

Физический факультет Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content