Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
арсенид галлия
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Pecularities of Hall effect
495 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя
10.1140/epjb/e2012-30149-4
Title
Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content
Creator
Aronzon, B. A.
Creator
Rylkov, V. V.
Creator
Davydov, A. B.
Creator
Tugushev, V. V.
Creator
Caprara, S.
Creator
Likhachev, I. A.
Creator
Pashaev, E. M.
Creator
Chuev, M. A.
Creator
Lahderanta, E.
Creator
Vedeneev, A. S.
Creator
Bugaev, A. S.
Creator
Pankov, M. A.
Contributor
Томский государственный университет Физический факультет Научные подразделения ФФ
Subject
Холла эффект
квантовые ямы
арсенид галлия
Date
2012
DOI
10.1140/epjb/e2012-30149-4
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Физический факультет
Identifier
vtls:000445972
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000445972
Type
статьи в журналах
Source
The European physical journal B. 2012. Vol. 85. P. 206 (1-11)
Language
eng
2602 Visitors
2676 Hits
4 Downloads
Preview
Физический факультет
Pecularities of Hall effect in GaAs/δ‹Mn›/GaAs/InxGa1−xAs/GaAs (x ≈ 0.2) heterostructures with high Mn content
^ DIV >