Исследованы электрофизические характеристики МДП-структур на основе Cdx Hg1-xTe до и после воздействия рентгеновским излучением с энергией квантов в диапазоне E = 0,5 ÷ 12 кэВ. Показано, что воздействие рентгеновского излучения приводит к увеличению концентрации основных носителей заряда, а также появлению уровней поверхностных состояний с высокой плотностью.