Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

2016

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe	533 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

#пленки CdHgTe

#ионное травление

#нейтральные дефекты

#микрорамановская спектроскопия

Title: Электрофизические и оптические исследования дефектной структуры методом молекулярно-лучевой эпитаксии пленок CdHgTe
Creator: Свентек, Збигнев
|
Озга, Петр
|
Ижнин, Игорь Иванович
|
Фицич, Елена Ивановна
|
Войцеховский, Александр Васильевич
|
Коротаев, Александр Григорьевич
|
Мынбаев, Карим Джафарович
|
Варавин, Василий Семенович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Бончик, Александр Юрьевич
|
Савицкий, Григорий Владимирович
Date: 2016
Description: Проведены электрофизические и оптические исследования дефектной структуры пленок CdHgTe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Показано, что особенностью данных пленок является наличие нейтральных дефектов, формирующихся на стадии роста и присущих материалу, выращенному методом МЛЭ. Предполагается, что этими нейтральными дефектами являются нанокомплексы Те. При ионном травлении они активируются междоузельной ртутью и формируют донорные центры с концентрацией ~ 1017 см⁻³, что дает возможность обнаруживать эти дефекты с помощью измерений электрических параметров материала. При легировании CdHgTe мышьяком с высокотемпературным крекингом присутствующий в потоке мышьяка димер As₂ блокирует образование нейтральных нанокомплексов Те с формированием донорных комплексов As₂Te₃. Результаты электрофизических исследований сравниваются с данными исследований, выполненных микрорамановской спектроскопией.