В данной работе исследуется рост двумерных и нульмерных наноструктур. В процессе выращивания наноструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии происходит фазовый переход из газообразного состояния в твёрдое. Любой фазовый переход есть сложный многоэтапный процесс. В данной работе будет уделено внимание четырём основным процессам, приводящимся по порядку стадий роста: зарождение островков, независимый рост островков, слияние островков и трёхмерный рост плёнки. При построении модели будет учитываться обнаруженная в ряде недавних работ зависимость поверхностной энергии растущего двумерного слоя от его толщины [1]. В данном случае имеется интерес к определению времени и условий роста материалов в зависимости от требуемых параметров наноструктур
Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 225
Language
rus
189 Visitors139 Hits52 Downloads
Радиофизический факультет
Моделирование эпитаксиального формирования двумерных материалов с учетом зависимости поверхностной энергии от толщины