Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета

Add to Quick Collection   All 13 Results

Showing items 1 - 13 of 13.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 10. С. 23-30
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Рассмотрен способ получения отражающего покрытия на принтере Voltera V-One из низкотемпературной проводящей пасты Voltera Conductor 2 на основе наночастиц серебра. Выполнены исследования морфологии по ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 6. С. 133-135
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Исследовали спектры диффузного отражения до и после облучения электронами (E = 30 кэВ, Ф = 21016 см–2) исходного порошка ZrO2 и модифицированного наночастицами CeO2 (С = 0.1 мас.%). Установлено, что м ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 7. С. 127-130
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Исследовали состав, структуру, спектры диффузного отражения в области 0.3–2.2 мкм и в ИК-области и радиационную стойкость при облучении электронами с энергией 30 кэВ в диапазоне флюенсов до 9·1016 см− ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 8. С. 3-9
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Выполнены исследования спектров диффузного отражения (ρλ) в области 0.2−2.5 мкм и их изменения после модифицирования порошков оксида цинка микронных размеров mZnO собственными нанопорошками nZnO разли ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2022. Т. 65, № 12. С. 46-50
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Исследовано влияние времени облучения квантами солнечного спектра (КСС) на спектры диффузного отражения (ρλ) и интегральный коэффициент поглощения солнечного излучения (аs) порошков оксида цинка исход ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 3. С. 144-147
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения ре ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 11/2. С. 26-32
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Изучено влияние температуры модифицирования нанопорошком Al2O3 в диапазоне 200–1000 °С на гранулометрический состав микропорошка оксида алюминия, на спектры диффузного отражения в области 360–2100 нм ... More
  • «
  • 1
  • »

Date

^