Получены аналитические выражения для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) и пороговой величины высоты барьера для электронов, выше которой образование прямой ЭДЖ невозможно. Показано, что состояние с квазидвумерной ЭДЖ может быть энергетически выгодным в полупроводниках с анизотропией масс и (или) большим числом эквивалентных долин. Проведено сравнение результатов вычислений с экспериментальными результатами для структуры Si/SiGe/Si.