Получено аналитическое выражение для энергии квазидвумерной электронно-дырочной жидкости (ЭДЖ) в мелких квантовых ямах. Показано, что в структурах Si/Si₁₋ₓGeₓ/Si при малых x ЭДЖ содержит легкие и тяжелые дырки. С увеличением x происходит переход ЭДЖ в состояние с тяжелыми дырками, а равновесная плотность электронно-дырочных пар сильно уменьшается. Изучено влияние внешнего электрического поля на свойства ЭДЖ.