Add to Quick Collection
All 17 Results
Showing items 1 - 15 of 17.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 241-245
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Показано, что проводимость структур Ga2O3- п -GaAs при положительных потенциалах на затворе определяется термоэлектронной эмиссией из GaAs в Ga2O3. При отрицательных смещениях проводимость структур об
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 56-60
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Представлены результаты анализа структуры и фазового состава пленок оксида галлия, полученных ВЧ-магнетронным напылением. Показано, что в интервале 290-350 К рост проводимости пленок с повышением темп
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 236-240
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Приведены результаты исследований влияния термического отжига на свойства структур n -GaAs- Ga2O3-Me. Показана связь структурно-фазовых изменений в оксидной пленке с проводимостью образцов на переменн
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 6. С. 3-6
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Представлены результаты исследования вольт-фарадных и вольт-сименсных характеристик структур металл – оксид – полупроводник на основе GaxOy/GaAs, полученных методом термического испарения. Установлено
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 143-146
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Исследовано влияние термического отжига в аргоне на фотоэлектрические характеристики структур TiO2- n -Si. Пленки оксида титана толщиной 70 нм получали ВЧ-магнетронным напылением на эпитаксиальный кре
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 139-142
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description:
Исследованы структуры Ni/V-TiO2- n- Si-V/Ni с пленкой TiO2, полученной методом ВЧ-магнетронного распыления мишени, изготовленной из оксида титана. Установлено, что используемая технология изготовления
... More
Source: Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 7. С. 989-994
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Физика и техника полупроводников. 2014. Т. 48, вып. 6. С. 759-762
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 9. С. 11-16
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, № 8. С. 1137-1143
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 147-149
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Физика и техника полупроводников. 2013. Т. 47, вып. 5. С. 598-603
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 8/3. С. 181-184
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46, вып. 2. С. 278-284
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/2. С. 71-74
Type: статьи в журналах
Date: 2012