Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
статьи в журналах

Add to Quick Collection   All 35 Results

Showing items 16 - 30 of 35.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 22-26
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: В широком диапазоне условий измерения экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе МЛЭ p-Hg1-xCdxTe/Si(013) с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe и без тако ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2018. Т. 61, № 8/2. С. 132-136
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Представлены экспериментальные результаты исследования влияния высокочастотного наносекундного диффузного разряда в воздухе атмосферного давления на электрофизические свойства эпитаксиальных пленок КР ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3-12
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования п ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой произв ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 257-261
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований полной проводимости МДП-структур на основе гетероэпи-таксиального МЛЭ n(p)-Hg0.78Cd0.22Te с диэлектрическими покрытиями SiO2-Si3N4 и Al2O3 в диапазоне часто ... More

Date

^