Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN

doi:10.17223/00213411/67/7/2

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN	463 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/67/7/2

#гетероструктуры

#эффективная масса

#закон дисперсии

#температурная перенормировка

#красное смещение

Title: Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN
Title: Influence of the dimensional quantization effects on the effective mass of majority charge carriers in LED heterostructures with InxGa1−xN/GaN multiple quantum wells
Creator: Бурмистров, Евгений Романович
|
Авакянц, Лев Павлович
|
Кутырев, Глеб Юрьевич
Date: 2024
DOI: 10.17223/00213411/67/7/2
Description: Путем численного самосогласованного решения системы уравнений Шредингера и электронейтральности Пуассона рассчитаны зонные диаграммы светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InxGa1−xN/GaN. Изучено влияние электрон-фононного взаимодействия, непараболичности закона дисперсии и гибридизации волновой функции на значения эффективной массы основных носителей заряда в квантовых ямах InxGa1–xN/GaN. Красное смещение 2Д-плазмонных резонансов связывается с температурной перенормировкой эффективной массы двумерных носителей. Для описания температурной зависимости эффективной массы использована функция смещения 2Д-плазмонной резонансной частоты.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2024. Т. 67, № 7. С. 15-25
Language: rus

Created: 24-09-2024

328 Visitors

329 Hits

5 Downloads

Журналы ТГУ Влияние эффектов размерного квантования на эффективную массу основных носителей заряда в светодиодных гетероструктурах с множественными квантовыми ямами InxGa1–xN/GaN