Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
полупроводники

Add to Quick Collection   All 95 Results

Showing items 1 - 15 of 95.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Positronics of radiation-induced effects in chalcogenide glassy semiconductors
Authors: Shpotyuk, O. | Shpotyuk, M. | Ingram, A. | Szatanik, R. | Kozyukhin, Sergey A.
Source: Semiconductors. 2015. Vol. 49, № 3. P. 298-304
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Using As2S3 and AsS2 glasses as an example, the principal possibility of using positron annihilation spectroscopy methods for studying the evolution of the free volume of hollow nanoobjects in chalcog ... More
Add   Estimation of kinetic parameters for the phase change memory materials by DSC measurements
Authors: Sherchenkov, A. | Kozyukhin, Sergey A. | Babich, A. V.
Source: Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2014. Vol. 117, № 3. P. 1509-1516
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Are carbon nanotubes with impurities and structure disorder metals or semiconductors?
Authors: Egorushkin, V. E. | Melnikova, N. V. | Ponomarev, A. N. | Bobenko, N. G.
Source: Physica E: Low-dimensional systems and nanostructures. 2014. Vol. 60. P. 11-16
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Исследование энергетического спектра и правил отбора для непрямых переходов электронов в кристаллах : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук.
Authors: Караваев, Геннадий Федорович | Чалдышев, Виктор Александрович (научный руководитель)
Type: диссертации
Date: 1965
Add   Structural, elastic and electronic properties of GaSe under biaxial and uniaxial compressive stress
Authors: Kosobutsky, Alexey V. | Sarkisov, Sergey Yu. | Brudnyi, Valentin N.
Source: Journal of physics and chemistry of solids. 2013. Vol. 74, № 9. P. 1240-1248
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Add   Effect of Pt, Pd, Au additives on the surface and in the bulk of tin dioxide thin films on the electrical and gas-sensitive properties
Authors: Maksimova, N. K | Novikov, Vladimir A. | Rudov, F. V. | Sergeychenko, N. V. | Chernikov, E. V. | Sevastyanov, E. Yu.
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 6. P. 801-809
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Electronic structure and the local electroneutrality level of SiC polytypes from quasiparticle calculations within the GW approximation
Authors: Brudnyi, V. N. | Kosobutsky, Alexey V.
Source: Journal of experimental and theoretical physics. 2012. Vol. 114, № 6. P. 1037-1042
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Pressure-induced topological phases of KNa2Bi
Authors: Sklyadneva, I. Yu. | Heid, Rolf | Bohnen, Klaus Peter | Echenique, Pedro Miguel | Chulkov, Evgueni V. | Rusinov, I. P.
Source: Scientific Reports [Еlectronic resource]. 2016. Vol. 6. P. 24137 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: We report an ab initio study of the effect of hydrostatic pressure and uniaxial strain on electronic properties of KNa2Bi, a cubic bialkali bismuthide. It is found that this zero-gap semimetal with an ... More
Add   Основные параметры копланарной линии, используемой для возбуждения геликоновых волн в активной полупроводниковой среде
Authors: Корнейчук, Сергей Анатольевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 5. С. 100-104
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Description: Исследованы основные параметры копланарной линии, используемой для возбуждения волн геликонового типа. Определены компоненты векторов напряженности электрического и магнитного полей, вектора Пойнтинга ... More
Add   Кинетические свойства и зонные параметры кристаллов Hg1–xMnxS
Authors: Марьянчук, Павел Дмитриевич | Андрущак, Галина Олеговна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 4. С. 93-95
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Add   Детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия
Authors: Толбанов, Олег Петрович
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 155-163
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Add   Halogen adsorption at an As-stabilized β2-GaAs (001)-(2×4) surface
Authors: Bakulin, Alexander V. | Kulkova, Svetlana E.
Source: Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 2. P. 171-179
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: Halogen (F, Cl, Br, and I) adsorption at an As-stabilized GaAs (001) surface with the β2–(2 × 4) reconstruction is studied using the plane-wave projected-augmented wave method. The effect of halogens ... More
Add   Change in the electronic properties of an InAs (111)A surface at oxygen and fluorine adsorption
Authors: Valisheva, N. A. | Tereshchenko, Oleg E. | Kulkova, Svetlana E. | Eremeev, Sergey V.
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 1. P. 49-55
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Add   Spin texture of Bi2Se3 thin films in the quantum tunneling limit
Authors: Schreyeck, Steffen | Eremeev, Sergey V. | Slomski, Bartosz | Muff, Stefan | Osterwalder, Jurg | Chulkov, Evgueni V. | Gould, Charles | Karczewski, Grzegorz | Brunner, Karl | Buhmann, Hartmut | Molenkamp, Laurens W. | Hugo Dil, J. | Landolt, Gabriel
Source: Physical Review Letters. 2014. Vol. 112, № 5. P. 057601-1-057601-5
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Add   Механизм дефектообразования в МДП структурах на основе CdxHg1-xTe под действием мягкого рентгеновского излучения лазерной плазмы
Authors: Средин, Виктор Геннадьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Мелехов, Андрей Петрович | Рамакоти, Рави Шрираджа | Дзядух, Станислав Михайлович
Source: IX Международная конференция "Лазерные, плазменные исследования и технологии" ЛаПлаз-2023 : сборник научных трудов. М., 2023. С. 43
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Description: Приводятся результаты исследования ВФХ МДП структур на основе CdxHg1-xTe, подвергнутых действию мягкого рентгеновского излучения. Предлагается модель генерации поверхностных дефектов излучением.

Creator

Date

Subject

Resource Type

^