Add to Quick Collection
All 18 Results
Showing items 1 - 15 of 18.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекул
... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур
... More
Authors:
Несмелов, Сергей Николаевич |
Дзядух, Станислав Михайлович |
Дворецкий, Сергей Алексеевич |
Михайлов, Николай Николаевич (физик) |
Сидоров, Георгий Юрьевич |
Каширский, Данила Евгеньевич |
Горн, Дмитрий Игоревич |
Лозовой, Кирилл Александрович |
Дирко, Владимир Владиславович |
Войцеховский, Александр Васильевич
Source: НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. С. 111-112
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 212-221
Type: статьи в сборниках
Date: 2013
Source: Vacuum. 2018. Vol. 158. P. 136-140
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
The electrical properties of MIS structures based on graded band gap Hg0.77Cd0.23Te grown by the molecular beam epitaxy method with the Al2O3 dielectric formed by the plasma enhanced atomic layer depo
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x
... More
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Source: VI Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2017. С. 378-379
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Source: Наноинженерия. 2014. № 4. С. 8-14
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 204-211
Type: статьи в сборниках
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2012. Т. 55, № 8/3. С. 269-270
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Journal of communications technology and electronics. 2022. Vol. 67, № 3. P. 308-312
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Dark currents in medium-wave nBn structures based on HgCdTe grown with the aid of molecular beam epitaxy on the (013) GaAs substrates are studied. The passivation of the surface of the side walls of t
... More
Source: Russian physics journal. 2021. Vol. 64, № 5. P. 763-769
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Two types of long-wave infrared nBn-structures based on mercury cadmium telluride grown by molecular beam epitaxy on GaAs (013) substrates have been fabricated. For each type of device, the side walls
... More
Source: Physica scripta. 2023. Vol. 98, № 6. P. 065907
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
This work is devoted to a comprehensive experimental study of the electrical and photoelectric characteristics of barrier photosensitive structures in the NBνN configuration based on n-HgCdTe (MCT). S
... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 249-251
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description:
В работе проводилось исследование барьерных nBνN-структур на основе МЛЭ n-HgCdTe семи типов (A, B, C, D, E, F) для детектирования в MWIR и LWIR спектральных областях