Add to Quick Collection
All 40 Results
Showing items 16 - 30 of 40.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 5. С. 77-85
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Впервые экспериментально исследован адмиттанс nBn-структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне частот и температур. Состав CdTe в барьерном слое ис
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 3-12
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
Экспериментально исследован адмиттанс МДП-структур на основе n ( p ) - Hg1-x Cd x Te (при x от 0.22 до 0.40) с диэлектриками SiO2/Si3N4, Al2O3 и CdTe/Al2O3 при температуре 77 К. Выращивание в процессе
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 6. С. 8-15
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Изготовлены три вида nBn -структур на основе теллурида кадмия - ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В качестве барьерных слоев в nBn -структурах использовался Hg1-x Cd x Te при x
... More
Source: X Международная конференция по фотонике и информационной оптике : сборник научных трудов. М., 2021. С. 215-216
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
Представлены результаты экспериментальных исследований темновых токов в средне- и длинноволновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 5. С. 3-8
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Изготовлены два вида длинноволновых nBn-структур на основе теллурида кадмия и ртути, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Для каждого вида приборов боковые стен
... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-систем на основе nBn-структуры из HgCdTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013), впервые исследованы при разных частотах и
... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 6. С. 118-124
Type: статьи в журналах
Date: 2019
Description:
Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики nBn- структур на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) на подложках из GaAs, в диапазоне температур 9-300 К.
... More
Source: Девятая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов" к 100-летию со дня рождения академика Б. К. Вайнштейна ; Четвертая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 22–26 ноября 2021 г. : сборник тезисов. [Б. м.], 2021. С. 48
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
В докладе представлены результаты численного моделирования униполярных nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, а также сравнение результатов расчётов с результатами экспериментальных исследований их электр
... More
Source: Школа молодых ученых "Актуальные проблемы полупроводниковых наносистем", 14-16 декабря, Новосибирск, Интернет-конференция Zoom: 886 6967 7489 : тезисы докладов. Новосибирск, 2020. С. 8-9
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 370
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Фотоника 2021 : Российская конференция и школа молодых ученых по актуальным проблемам полупроводниковой фотоэлектроники (с участием иностранных ученых), 4-8 октября 2021 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2021. С. 136
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
В докладе представлены результаты теоретического и экспериментального исследования электрических характеристик nBn-структур на основе МЛЭ HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральных диапаз
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 267-269
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 368-369
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 270-271
Type: статьи в сборниках
Date: 2023