Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
2013
|
Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
МДП-структуры
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K
362 KB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
Title
Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K
Creator
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Creator
Gorn, Dmitriy Igorevich
Contributor
Томский государственный университет Радиофизический факультет Кафедра квантовой электроники и фотоники
Томский государственный университет Радиофизический факультет Научные подразделения РФФ
Subject
МДП-структуры
теллурид кадмия ртути
квантовые ямы
электрофизические характеристики
Date
2013
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Identifier
vtls:000477954
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000477954
Type
статьи в журналах
Source
Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 10/3. С. 206-208
Language
eng
1235 Visitors
1029 Hits
231 Downloads
Preview
Радиофизический факультет
Журналы ТГУ
Description of electrophysical characteristics for MIS-structures with CdHgTe-based quantum wells under the 8–300 K
^ DIV >