Please be patient while the object screen loads.
Description | Size | Format | ||
---|---|---|---|---|
Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе n-Hg1–xCdxTe (x = 0,21–0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии | 410 KB | Adobe Acrobat PDF | View Details | Download |