Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | Горн, Дмитрий Игоревич | Дзядух, Станислав Михайлович

Add to Quick Collection   All 20 Results

Showing items 16 - 20 of 20.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXVI Международного симпозиума, 14-17 марта 2022 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2022. Т. 2 : Секция 3. С. 720-721
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description: В работе приводятся результаты экспериментального исследования NBvN-структур созданных на основе эпитаксиальной пленки твердых растворов теллурида кадмия и ртути (Hg1-xCdxTe) с содержанием CdTe x=0.30 ... More
Source: Прикладная физика. 2023. № 5. С. 75-83
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Проведено исследование адмитансных характеристик структуры металлдиэлектрик-полупроводник (МДП), в качестве полупроводника в которой использовалась nBn-структура на основе эпитаксиальных слоев Hg1-x C ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 3. С. 37-42
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование электрофизических и фотоэлектических характеристик барьерных фоточувствительных структур в конфигурации NBvN на основе n-HgCdTe (КРТ). Исследовано семь различных типов фоточувст ... More
Source: Прикладная физика. 2023. № 4. С. 78-86
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description: Представлены результаты исследований темновых токов nB(SL)n-структур со сверхрешёткой (СР) в барьерной области на основе Hg1-xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в широком ... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 252-254
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description: Работа посвящена исследованию характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса

Date

^