Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 231 Results

Showing items 61 - 75 of 231.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Type: учебные издания
Date: 2010
Description: Рассмотрены теоретические основы расчёта и оптимизации основных параметров устройств на поверхностных акустических волнах. Предложены практические задания для компьютерного расчёта некоторых простейши ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2023 : 10-я Международная научно-практическая конференция, 26-29 сентября 2023 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2023. С. 267-269
Type: статьи в сборниках
Date: 2023
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96-102
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами дл ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 59-64
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: В настоящее время большое внимание уделяется детальному рассмотрению фундаментальных свойств Ge/Si-гетероструктур с нанокластерами Ge. В работе рассматриваются потенциальные возможности использования ... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 10. С. 92-97
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проведены комплексные исследования дефектной структуры имплантированных ионами мышьяка (с энергией 190 кэВ) пленок Cd x Hg1- x Te ( x = 0.22), выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией. Исследования п ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 202-205
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Использована специальная методика измерений электрофизических характеристик МДП-структур на основе МЛЭ HgCdTe, позволяющая исключить влияние гистерезисных явлений на результаты измерения первой произв ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл ... More
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2021. Т. 2 : Секция 3. С. 603-604
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description: Изготовлены многослойные униполярные гетероэпитаксиальные структуры на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs(013). Результаты экспериментальных исследов ... More
Source: Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59-63
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность селективного поверхностного дефектообразования при облучении мягким рентгеновским излучением эпитаксиальных слоев Cd x Hg 1-x Te за счет избирательного воздействия излучения на от ... More

Date

^