Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич | Несмелов, Сергей Николаевич

Add to Quick Collection   All 100 Results

Showing items 31 - 45 of 100.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 4. С. 97-106
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Проведены исследования вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе варизонного МЛЭ Hg1–xCdxTe (x = 0.22–0.23) с двухслойным плазмохимическим диэлектриком SiO2/Si3N4 при изменении направл ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 7. С. 96-102
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: В широком диапазоне частот, температур и смещений проведены экспериментальные исследования адмиттанса МДП-структур на основе пентацена с двухслойным диэлектриком SiO2–Al2O3 и различными материалами дл ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 54-60
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Исследованы вольт-фарадные характеристики МДП-структур, полученных на основе эпитаксиальных слоев n-Cd0,24Hg0,76Te, подвергнутых воздействию мягкого рентгеновского излучения. Показано, что в результат ... More
Source: Прикладная физика. 2018. № 4. С. 43-48
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Вольт-фарадные характеристики (ВФХ) МДП-систем на основе nBn-структуры из HgCdTe, выращенной методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013), впервые исследованы при разных частотах и ... More
Source: Прикладная физика. 2020. № 1. С. 25-31
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description: Изучены темновые токи в средневолновых nBn-структурах на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из GaAs (013). Пассивация поверхности боковых стенок мезаструктур ... More
Source: Письма в журнал технической физики. 2021. Т. 47, № 12. С. 34-37
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description: Исследован адмиттанс тестовых МДП-структур на основе nBn-систем из Hg1−xCdxTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Состав x в поглощающем и контактном слоях равен 0.29, а состав в барье ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 273-275
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Исследованы электрофизические характеристики МДП-структур на основе Cdx Hg1-xTe до и после воздействия рентгеновским излучением с энергией квантов в диапазоне E = 0,5 ÷ 12 кэВ. Показано, что воздейств ... More
Source: Прикладная физика. 2017. № 5. С. 59-63
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность селективного поверхностного дефектообразования при облучении мягким рентгеновским излучением эпитаксиальных слоев Cd x Hg 1-x Te за счет избирательного воздействия излучения на от ... More
Type: монографии
Date: 2021
Description: В монографии приведен анализ основных достижений в области использования архитектур полупроводниковых фотоприемных устройств, содержащих униполярные барьеры. Рассмотренные разработки демонстрируют улу ... More
Source: Фундаментальные проблемы радиоэлектронного приборостроения : материалы Международной научно-технической конференции "INTERMATIC-2013", 2-6 декабря 2013 г., Москва. М., 2013. Ч. 1. С. 212-221
Type: статьи в сборниках
Date: 2013
Source: Прикладная физика. 2018. № 3. С. 15-21
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description: Проведено численное моделирование низкочастотных и высокочастотных вольт-фарадных характеристик (ВФХ) МДП-структур на основе n-Hg0,70Cd0,30Te с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержани ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2011. Т. 54, № 3. С. 3-9
Type: статьи в журналах
Date: 2011
Description: Исследовано влияние областей с периодическими резкими неоднородностями по составу толщиной 48–54 нм на электрофизические характеристики МДП-структур на основе варизонного n-Hg1–xCdxTe с x = 0,29–0,31, ... More
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/3. С. 269-272
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: В работе приводятся результаты исследований адмиттанса МДП-структур на основе n(p)-HgCdTe, выра-щенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на различных альтернативных подложках (GaAs и Si). Прове-д ... More

Date

^