Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
Войцеховский, Александр Васильевич

Add to Quick Collection   All 236 Results

Showing items 106 - 120 of 236.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2015. Т. 58, № 8/2. С. 271-273
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб ... More
Source: Вестник Томского государственного университета. 2005. № 285 : Серия "Физика". С. 164-171
Type: статьи в журналах
Date: 2005
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 9. С. 54-58
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description: Представлена модель изменения пропускания мощных лазерных импульсов с учетом изменения с температурой оптических параметров материала CdxHg1–xTe. Рассчитаны тепловые поля, профили коэффициента поглоще ... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР 2019 : 8-я Международная научно-практическая конференция, 1-4 октября 2019 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2019. С. 364-365
Type: статьи в сборниках
Date: 2019
Source: НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. М., 2020. С. 110-111
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Нано- и микросистемная техника. 2017. Т. 19, № 1. С. 3-20
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Рассмотрены возможности исследования электрофизических свойств МДП-структур на основе n(p)-Hgi _ xCdxTe (x = 0,21...0,23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в широком диапазоне темпер ... More
Source: Нано- и микросистемная техника. 2015. № 3. С. 31-41
Type: статьи в журналах
Date: 2015
Description: Представлен анализ научно-технической литературы по оптическим и фотоэлектрическим свойствам наногетероструктур Ge/Si. Описаны особенности полупроводниковых структур с наноразмерными включениями, их о ... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 12/2. С. 198-201
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Определены значения концентраций основных носителей заряда в приповерхностных варизонных слоях полупроводника из измерений адмиттанса МДП-структур на основе n ( p )-HgCdTe, выращенного методом молекул ... More

Date

^