Add to Quick Collection
All 97 Results
Showing items 1 - 15 of 97.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2014. Т. 57, № 7. С. 122-124
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Physica E: Low-dimensional systems and nanostructures. 2014. Vol. 60. P. 11-16
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: The European physical journal B. 2012. Vol. 85. P. 149 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 6. С. 3-6
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description:
На основе феноменологического рассмотрения процессов дрейфа и разогрева носителей в объеме полупроводников типа АⅢBⅤ в сильных перекрёстных электрических и магнитных полях построена квазитрехмерная мо
... More
Source: Semiconductors. 2012. Vol. 46, № 6. P. 801-809
Type: статьи в журналах
Date: 2012
Source: Scientific Reports [Еlectronic resource]. 2016. Vol. 6. P. 24137 (1-6)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
We report an ab initio study of the effect of hydrostatic pressure and uniaxial strain on electronic properties of KNa2Bi, a cubic bialkali bismuthide. It is found that this zero-gap semimetal with an
... More
Authors:
Eremeev, Sergey V. |
Tereshchenko, Oleg E. |
Muff, Stefan |
Slomski, Bartosz |
Kokh, Konstantin A. |
Kobayashi, Masaki |
Schmitt, Thorsten |
Strocov, Vladimir N. |
Osterwalder, Jurg |
Chulkov, Evgueni V. |
Hugo Dil, J. |
Landolt, Gabriel
Source: New journal of physics. 2013. Vol. 15, № 8. P. 085022 (1-11)
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Authors:
Schreyeck, Steffen |
Eremeev, Sergey V. |
Slomski, Bartosz |
Muff, Stefan |
Osterwalder, Jurg |
Chulkov, Evgueni V. |
Gould, Charles |
Karczewski, Grzegorz |
Brunner, Karl |
Buhmann, Hartmut |
Molenkamp, Laurens W. |
Hugo Dil, J. |
Landolt, Gabriel
Source: Physical Review Letters. 2014. Vol. 112, № 5. P. 057601-1-057601-5
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2010. Т. 53, № 11/2. С. 20-25
Type: статьи в журналах
Date: 2010
Description:
Исследованы основные параметры щелевой линии, используемой для возбуждения волн геликонового типа. Определены компоненты векторов напряженности электрического и магнитного полей, вектора Пойнтинга и х
... More
Source: Journal of applied physics. 2018. Vol. 124, № 2. P. 025704-1-025704-8
Type: статьи в журналах
Date: 2018
Description:
The method of photoconductive detection of defect-related vibrational modes in semiconductors by Fano resonances is validated by a combined photoconductivity and infrared absorption study of the inter
... More
Source: Journal of Thermal Analysis and Calorimetry. 2014. Vol. 117, № 3. P. 1509-1516
Type: статьи в журналах
Date: 2014
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2013. Т. 56, № 7. С. 27-29
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Journal of physics and chemistry of solids. 2013. Vol. 74, № 9. P. 1240-1248
Type: статьи в журналах
Date: 2013
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2016. Т. 59, № 1. С. 77-82
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Теоретически проанализировано возникновение тока сдвигового линейного фотогальванического эффекта при двухфотонном поглощении света в полупроводниках без центра симметрии со сложной зонной структурой.
... More
Source: Semiconductors. 2016. Vol. 50, № 2. P. 171-179
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description:
Halogen (F, Cl, Br, and I) adsorption at an As-stabilized GaAs (001) surface with the β2–(2 × 4) reconstruction is studied using the plane-wave projected-augmented wave method. The effect of halogens
... More