Add to Quick Collection
All 2 Results
Showing items 1 - 2 of 2.
Add All Items to Quick Collection
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2023. Т. 66, № 2. С. 32-40
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
Предложен метод вычисления профиля концентрации носителей заряда в гетероструктуре с квантовыми ямами, основанный на измерении полевой зависимости резистивных свойств гетероструктуры. Предполагается,
... More
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2021. Т. 64, № 3. С. 144-147
Type: статьи в журналах
Date: 2021
Description:
Измерения фононного спектра LED-гетероструктуры на основе барьера In0.12Ga0.88N/GaN показали наличие в нём четырех пиков фононного излучения с энергиями 0.193, 0.207, 0.353 и 0.356 эВ. Из сравнения ре
... More