Please be patient while the object screen loads.
Электронная библиотека (репозиторий)
Томского государственного университета
English
Русский
Home
Show
All
Show
Quick Collection
Browse ↓
Communities & Collections
By Title
By Creator
By Subject
By Date
Additional Resources
Search History
Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
-
Сделать пожертвование
-
Advanced Search
квантовые точки
|
Voytsekhovskiy, Alexander V.
|
Smith, Roger
|
Lozovoy, Kirill A.
Add to Quick Collection
Description
Size
Format
Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si
4 MB
Adobe Acrobat PDF
View Details
Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя
10.1016/j.susc.2020.121594
Title
Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si
Creator
Lloyd, Adam
Creator
Smith, Roger
Creator
Lozovoy, Kirill A.
Creator
Voytsekhovskiy, Alexander V.
Creator
Kokhanenko, Andrey P.
Creator
Zhoua, Ying
Subject
квантовые точки
молекулярная динамика
Date
2020
DOI
10.1016/j.susc.2020.121594
Description
The initial stages of the growth of germanium on the dimer reconstructed Si(100) surface is modelled using
Relationships
Show Relationship Browser for this Object
collection(s)
Радиофизический факультет
Identifier
vtls:000795313
http://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000795313
Type
статьи в журналах
Source
Surface science. 2020. Vol. 696. P. 121594 (1-9)
Language
eng
738 Visitors
492 Hits
256 Downloads
Preview
Радиофизический факультет
Molecular dynamics simulations of the growth of Ge on Si
^ DIV >