Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
квантовые точки

Add to Quick Collection   All 106 Results

Showing items 31 - 45 of 106.
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Add   Entanglement of two-electron spin states in a double quantum dot
Authors: Bagrov, Vladislav G. | Levin, Alexander D. | Meireles, M. S. | Gitman, Dmitri M.
Source: International journal of quantum information. 2017. Vol. 15, № 01. P. 1750006 (1-14)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Recently, an implementation of a universal set of one- and two-quantum-bit gates for quantum computation using spin states of coupled single-electron quantum dots was proposed. It was demonstrated tha ... More
Add   Temperature spectra of conductance of Ge/ Si p-i-n structures with Ge quantum dots
Authors: Izhnin, Igor I. | Pishchagin, Anton A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Dzyadukh, Stanislav M. | Nikiforov, Alexander I. | Fitsych, Olena I.
Source: Nanoscale research letters. 2017. Vol. 12. P. 131 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: This work presents results of investigation of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots in the i-region by the method of admittance spectroscopy. The structures contain multiple layers with Ge quan ... More
Add   Моделирование роста квантовых точек Ge/Si с учетом взаимодействия между островками
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Седьмая Международная конференция "Кристаллофизика и деформационное поведение перспективных материалов", посвященная памяти профессора С. С. Горелика ; Вторая Международная школа молодых ученых "Актуальные проблемы современного материаловедения", Москва, 2-5 октября 2017 г. : тезисы докладов. М., 2017. С. 128
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Add   Оптоэлектронные элементы на основе материальной системы кремний – германий с квантовыми точками германия
Authors: Кравцова, Наталья Сергеевна | Вагин, Николай Валерьевич | Габидулин, Михаил Евгеньевич
Source: Труды Четырнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, Томск, 17-18 мая 2017 г.. Томск, 2017. С. 46-50
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Add   Разработка высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Ge-Si с квантовыми точками Ge для портативных термофотогенераторов
Authors: Пчеляков, Олег Петрович | Якимов, Андрей Иннокентьевич | Войцеховский, Александр Васильевич | Паханов, Николай Андреевич
Source: Автометрия. 2017. Т. 53, № 2. С. 109-116
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Показана возможность создания высоковольтного волноводного фотодетектора, составленного из диодов Шоттки, на структуре Au/Ge-Si с квантовыми точками Ge, псевдоморфными к кремниевой матрице, обеспечива ... More
Add   Разработка конструкции высокоэффективного преобразователя солнечной энергии на основе полупроводниковых структур Ge/Si с квантовыми точками Ge
Authors: Пищагин, Антон Александрович
Source: Сборник тезисов участников форума "Наука будущего – наука молодых" : III Всероссийский научный форум, 12 сентября - 14 сентября 2017 года, г. Нижний Новгород. М., 2017. С. 218-219
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Add   Расчет критической толщины перехода по Странскому-Крастанову в материальной системе GeSi/Sn/Si
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Актуальные проблемы радиофизики : VII Международная научно-практическая конференция, г. Томск, 18-22 сентября 2017 г. : сборник трудов. Томск, 2017. С. 257-260
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Description: В работе рассматривается рост по механизму Странского-Крастанова эпитаксиальных слоев Gех;(Si1-х. на поверхности Si(lOO) с предварительно нанесенным слоем олова. Для расчета критической толщины перехо ... More
Add   Синтез квантовых точек Ge на Si(100) и Si(111) методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Authors: Дирко, Владимир Владиславович | Серохвостов, Вячеслав Юрьевич | Пищагин, Антон Александрович
Source: Материалы 55-й Международной научной студенческой конференции МНСК-2017, 17-20 апреля 2017 г. Квантовая физика. Новосибирск, 2017. С. 15
Type: статьи в сборниках
Date: 2017
Add   Сравнение процессов роста квантовых точек германия на поверхностях Si(100) и Si(111)
Authors: Коханенко, Андрей Павлович | Лозовой, Кирилл Александрович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 11. С. 20-27
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Проводится сравнительный анализ особенностей выращивания методом молекулярно-лучевой эпитаксии квантовых точек германия на поверхности кремния с различной кристаллографической ориентацией: Si(100) и S ... More
Add   Температурная чувствительность водорастворимых квантовых точек CdTe и CdSe/ZnS, внедренных в биополимерные субмикронные частицы
Authors: Слюсаренко, Нина Викторовна | Герасимова, Марина Анатольевна | Слабко, Виталий Васильевич | Слюсарева, Евгения Алексеевна
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2017. Т. 60, № 3. С. 88-94
Type: статьи в журналах
Date: 2017
Description: Синтезированы полимерные частицы на основе хитозана и хондроитин сульфата размером 0.3–0.4 мкм с внедренными квантовыми точками CdTe («ядро») и CdSe/ZnS («ядро – оболочка»). Методами динамического рас ... More
Add   Admittance spectroscopy of Ge/Si p-i-n structures with Ge quantum dots
Authors: Pishchagin, Anton A. | Kokhanenko, Andrey P. | Serokhvostov, V. Yu. | Dzyadukh, Stanislav M. | Nikiforov, Alexander I. | Voytsekhovskiy, Alexander V.
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012015 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: The experimental results on synthesis of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots in the i-region and their investigation by the method of admittance spectroscopy are presented. The activation ener ... More
Add   Elongated quantum dots of Ge on Si growth kinetics modeling with respect to the additional energy of edges
Authors: Lozovoy, Kirill A. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Pishchagin, Anton A.
Source: Journal of Physics: Conference Series. 2016. Vol. 741. P. 012019 (1-4)
Type: статьи в журналах
Date: 2016
Description: In this paper refining of mathematical model for calculation of parameters of selforganised quantum dots (QDs) of Ge on Si grown by the method of molecular beam epitaxy (MBE) is done. Calculations of ... More
Add   Investigation of Si/Ge p-i-n structures with Ge quantum dots by admittance spectroscopy methods
Authors: Pishchagin, Anton A. | Serokhvostov, V. Yu. | Kokhanenko, Andrey P. | Voytsekhovskiy, Alexander V. | Nikiforov, Alexander I. | Lozovoy, Kirill A.
Source: Actual problems of radiophysics : proceedings of the VI International cоnfеrеnсе "APR-2015", October, 5-10, 2015, Tomsk, Russia. London, 2016. P. 45-48
Type: статьи в сборниках
Date: 2016
Add   Кинетика формирования наногетероструктур с квантовыми точками германия на кремнии для приборов оптоэлектроники : диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук : 01.04.10.
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович (научный руководитель)
Type: диссертации
Date: 2016
Add   Моделирование процессов роста квантовых точек пирамидальной и клиновидной формы в системе GexSi1-x/Si с учетом различных энергетических факторов
Authors: Лозовой, Кирилл Александрович | Коханенко, Андрей Павлович | Войцеховский, Александр Васильевич
Source: Кремний 2016 : XI конференция и X школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, 12-15 сентября 2016 г., Новосибирск : тезисы докладов. Новосибирск, 2016. С. 51
Type: статьи в сборниках
Date: 2016

Creator

Date

Subject

Resource Type

^