Add to Quick Collection
All 10 Results
Showing items 1 - 10 of 10.
Add All Items to Quick Collection
Source: Nanomaterials. 2023. Vol. 13, № 2. P. 231 (1-12)
Type: статьи в журналах
Date: 2023
Description:
This paper presents the results of studying the processes of epitaxial growth of germanium on silicon with crystallographic orientation (111) in a wide temperature range. The temperature dependences o
... More
Source: Applied nanoscience. 2022. Vol. 12, № 3. P. 253-263
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description:
Today there are several types of photodetectors that can cope with the task of detecting a single photon, however, avalanche photodiodes are most widely used for applications in fiber-optic communicat
... More
Source: Нанофизика и наноэлектроника : труды XXV Международного симпозиума, 9-12 марта 2021 г., Нижний Новгород. Нижний Новгород, 2021. Т. 2 : Секция 3. С. 743
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
В настоящей работе строится физико-математическая модель эпитаксиального синтеза на различных подложках двумерных материалов IV группы — силицена и германена. Рассматриваются различные стадии формиров
... More
Source: Актуальные проблемы радиофизики АПР-2021 : 9-я Международная научно-практическая конференция, 20-22 октября 2021 года, г. Томск : сборник трудов конференции. Томск, 2021. С. 225
Type: статьи в сборниках
Date: 2021
Description:
В данной работе исследуется рост двумерных и нульмерных наноструктур. В процессе выращивания наноструктур методом молекулярно-лучевой эпитаксии происходит фазовый переход из газообразного состояния в
... More
Source: Surface and coatings technology. 2020. Vol. 384. P. 125289 (1-5)
Type: статьи в журналах
Date: 2020
Description:
Nowadays, two-dimensional crystals (2D materials) and structures with quantum dots (0D materials) are considered
Source: International research and practice conference "Nanotechnology and nanomaterials" (NANO-2020), 26-29 August 2020, Lviv, Ukraine : abstract book. Kyiv, 2020. P. 417
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 183-185
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
В данной работе методом дифракции быстрых электронов определены зависимости величины упругих напряжений от толщины осажденного материала при росте квантовых точек германия на кремнии. Показано, что от
... More
Source: Международный форум "Микроэлектроника – 2020" ; Школа молодых ученых "Микроэлектроника – 2020" ; XIII Международная конференция "Кремний – 2020" ; XII Школа молодых ученых и специалистов по актуальным проблемам физики, материаловедения, технологии и диагностики кремния, нанометровых структур и приборов на его основе, Республика Крым, г. Ялта, пгт. Гурзуф, санаторий "Гурзуф Центр", 21–25 сентября 2020 г.. М., 2020. С. 158-160
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
В данной работе проводится всестороннее рассмотрение влияния зависимости упругих напряжений и поверхностных энергий от толщины осажденного материала на эпитаксиальное формирование двумерных слоев и кв
... More
Source: НАНО 2020 : VII Всероссийская конференция по наноматериалам, 18-22 мая 2020 г., Москва, ИМЕТ РАН : сборник материалов. М., 2020. С. 110-111
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Source: Труды семнадцатой Всероссийской конференции студенческих научно-исследовательских инкубаторов, г. Томск, 11–15 мая 2020 г.. Томск, 2020. С. 112-115
Type: статьи в сборниках
Date: 2020
Description:
Работа посвящена теории эпитаксиального роста двудвумерный материал, адсорбция, десорбция, ми-