Электронная библиотека (репозиторий) Томского государственного университета
2022

Add to Quick Collection   All 4 Results

Showing items 1 - 4 of 4.
  • «
  • 1
  • »
Sort:
 Add All Items to Quick Collection
Source: Semiconductors. 2022. Vol. 56, № 9. P. 707-711
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: The electrical and photovoltaic characteristics of the Ga2O3/n-GaAs structures have been studied. A gallium oxide film was obtained by HF magnetron sputtering on n-GaAs epitaxial layers with concentra ... More
Source: Прикладная физика. 2022. № 4. С. 40-45
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Проведено исследование структур металл-диэлектрик-полупроводник (МДП) на основе n-HgCdTe (КРТ), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ), в конфигурации NBvN, предназначенных для разраб ... More
Source: XXVI Международная научно-техническая конференция по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25-27 мая 2022 г., Москва, Россия : тезисы докладов. М., 2022. С. 252-254
Type: статьи в сборниках
Date: 2022
Description: Работа посвящена исследованию характеристик структур МДП на основе МЛЭ N-HgCdTe в конфигурации nBνN методом спектроскопии адмиттанса
Source: Физика и техника полупроводников. 2022. Т. 56, № 9. С. 928-932
Type: статьи в журналах
Date: 2022
Description: Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики структур Ga2O3/n-GaAs. Пленку оксида галлия получали ВЧ магнетронным напылением на эпитаксиальные слои n-GaAs с концентрацией N_d=9.5·1014 ... More
  • «
  • 1
  • »
^