Приведен^! результаты экспериментальн^гх исследований сигнальн^гх и темновых характеристик средневолновых инфракрасн^гх nBn-детекторов на основе HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Выявлены механизм^! ограничения темнового тока в nBn-структурах при различных параметрах широкозонн^гх барьерн^гх слоев. Для лучших образцов выполнен^! оценки значений чувствительности и обнаружительной способности.