Компьютерное моделирование границ раздела полупроводник AIIIBV/собственный оксид с низкой плотностью интерфейсных состояний

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Компьютерное моделирование границ раздела полупроводник AIIIBV/собственный оксид с низкой плотностью интерфейсных состояний	181 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download

Title: Компьютерное моделирование границ раздела полупроводник AIIIBV/собственный оксид с низкой плотностью интерфейсных состояний
Creator: Бакулин, Александр Викторович
|
Аксенов, Максим Сергеевич
|
Валишева, Наталья Александровна
|
Кулькова, Светлана Евгеньевна
Date: 2016

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Type: статьи в сборниках
Source: Перспективные материалы с иерархической структурой для новых технологий и надежных конструкций : международная конференция, 19-23 сентября 2016 г., Томск, Россия : тезисы докладов. Томск, 2016. С. 289-290
Language: rus