Микромагнитный анализ краевых эффектов в тонкой магнитной пленке при локальном возбуждении колебаний намагниченности

doi:10.17223/00213411/63/5/116

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Микромагнитный анализ краевых эффектов в тонкой магнитной пленке при локальном возбуждении колебаний намагниченности	684 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/63/5/116

#микромагнитное моделирование

#тонкие магнитные пленки

#краевые эффекты

#ферромагнитный резонанс

#магнитная анизотропия

Title: Микромагнитный анализ краевых эффектов в тонкой магнитной пленке при локальном возбуждении колебаний намагниченности
Creator: Изотов, Андрей Викторович
|
Скоморохов, Георгий Витальевич
|
Соловьев, Платон Николаевич
|
Беляев, Борис Афанасьевич
Date: 2020
DOI: 10.17223/00213411/63/5/116
Description: Методом численного микромагнитного моделирования исследована динамика намагниченности тонкой пленки с одноосной магнитной анизотропией при возбуждении в ней ферромагнитного резонанса (ФМР) на локальных участках линейно-поляризованным высокочастотным магнитным полем, излучаемым из отверстия диаметром 1 мм в металлическом экране линии. Установлено, что неоднородности полей размагничивания, возникающие вблизи краев пленки, приводят не только к изменению поля ФМР, но и к изменению величины и направления поля одноосной анизотропии. Распределение неоднородностей характеристик магнитной анизотропии по площади пермаллоевой пленки толщиной 60 нм, измеренных на сканирующем спектрометре ФМР, хорошо согласуются с результатами микромагнитного моделирования. Доказано, что краевые эффекты в магнитных пленках в основном обусловлены размагничивающими полями.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 5. С. 116-121
Language: rus