Особенности формирования разряда в узле запуска на основе пробоя по поверхности полупроводника в отпаянном тиратроне с холодным катодом

doi:10.17223/00213411/63/5/90

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Особенности формирования разряда в узле запуска на основе пробоя по поверхности полупроводника в отпаянном тиратроне с холодным катодом	995 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/63/5/90

#тиратрон с холодным катодом

#поверхностные разряды

#дуговые разряды

#аноды полые

Title: Особенности формирования разряда в узле запуска на основе пробоя по поверхности полупроводника в отпаянном тиратроне с холодным катодом
Creator: Королев, Юрий Дмитриевич
|
Аргунов, Григорий Александрович
|
Гейман, Владимир Гарьевич
|
Франц, Олег Борисович
|
Болотов, Александр Владимирович
|
Ландль, Николай Владимирович
Date: 2020
DOI: 10.17223/00213411/63/5/90
Description: Представлены результаты исследования импульсного разряда в узле запуска на основе пробоя по поверхности полупроводника отпаянных тиратронов с холодным катодом TDI1-50k/50. Предложен метод оценки величины тока поверхностного разряда. Выявлены механизмы формирования разряда в узле запуска и получены данные по распределению тока между электродами узла запуска. Получены данные по временам запаздывания срабатывания тиратронов, временам запаздывания зажигания дугового разряда в узле запуска и соответствующие разбросы времен. Показано, что с увеличением сопротивления полупроводника времена запаздывания и разбросы времен увеличиваются. Предложена схема запуска, обеспечивающая разброс времен срабатывания тиратрона не хуже ± 5 нс.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Физический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2020. Т. 63, № 5. С. 90-98
Language: rus