Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ

doi:10.17223/00213411/63/2/98

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ	812 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/63/2/98

#ионная имплантация

#дефекты

#электрофизические свойства

#пленки CdHgTe

Title: Локализация и природа радиационных донорных дефектов в имплантированных мышьяком пленках CdHgTe, выращенных МЛЭ
Creator: Фицич, Елена Ивановна
|
Войцеховский, Александр Васильевич
|
Коротаев, Александр Григорьевич
|
Мынбаев, Карим Джафарович
|
Курбанов, Курбан Рамазанович
|
Варавин, Василий Семенович
|
Дворецкий, Сергей Алексеевич
|
Михайлов, Николай Николаевич (физик)
|
Ремесник, Владимир Григорьевич
|
Ижнин, Игорь Иванович
|
Якушев, Максим Витальевич
|
Бончик, Александр Юрьевич
|
Савицкий, Григорий Владимирович
|
Świątek, Zbigniew
|
Morgiel, Jerzy
Date: 2020
DOI: 10.17223/00213411/63/2/98
Description: Путем профилирования электрических параметров имплантированных мышьяком пленок CdHgTe, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией, и сопоставления полученных данных с результатами исследований, проведенных методами масс-спектроскопии вторичных ионов и просвечивающей электронной микроскопии, определены локализация и природа донорных дефектов, сформировавшихся при имплантации. Показано, что такими дефектами являются дислокационные петли и квазиточечные дефекты, захватившие атомы междоузельной ртути, высвобожденные при имплантации.