Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне

doi:10.17223/00213411/62/12/194

Эндаумент фонд ТГУ!
Впиши своё имя в историю университета
- Сделать пожертвование -

Add to "Quick Collection"

Description	Size	Format
Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне	368 KB	Adobe Acrobat PDF	Read	Download
DOI Доступ к ресурсу на сайте издателя			10.17223/00213411/62/12/194

#терагерцовый диапазон

#отжиг

#коэффициент поглощения

#дифосфид цинка-германия

#оптические пробои

#монокристаллы

Title: Влияние послеростовых обработок монокристаллов ZnGeP2 на оптические свойства в ТГц-диапазоне
Creator: Воеводин, Владимир Иванович
|
Грибенюков, Александр Иванович
|
Дорожкин, Кирилл Валерьевич
Date: 2019
DOI: 10.17223/00213411/62/12/194
Description: Развитая к настоящему времени технология выращивания и послеростовых обработок позволяет получать кристаллы ZnGeP2 высокого оптического качества в среднем ИК-диапазоне 2–8.5 мкм, что дает возможность реализовать широкополосную высокоэффективную параметрическую генерацию излучения при накачке мощными лазерами 2-мкм диапазона [1–3]. Имеющихся к настоящему времени данных об оптических потерях излучения ТГц-диапазона в кристаллах ZnGeP2 недостаточно для целенаправленного выбора условий получения кристаллов для эффективных преобразователей излучения среднего ИК-диапазона в ТГц-диапазон путем генерации излучения разностной частоты от излучения 2-мкм лазеров накачки. Цель настоящей работы – получение новых сведений о связи технологических условий с оптическими свойствами кристаллов ZnGeP2: коэффициентом поглощения в ТГц-области и порогом оптического пробоя в области длин волн лазера накачки.

Relationships: Show Relationship Browser for this Object
collection(s): Радиофизический факультет | Журналы ТГУ
Identifier: смотреть в электронном каталоге НБ ТГУ
Rights: Resource access is available in the premises of Research Library
Type: статьи в журналах
Source: Известия высших учебных заведений. Физика. 2019. Т. 62, № 12. С. 194-196
Language: rus