Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p -GaN. Произведена оценка коэффициента диффузии для реальных температур роста 860, 910 и 980°С, значения составили 7.5∙10-17, 2.8∙10-16 и 1.2∙10-15 см2/с соответственно. Приведенные в работе значения температуры измерялись на поверхности растущего слоя in situ с помощью пирометра. Вычисленная энергия активации для температурной зависимости коэффициента диффузии составила 2.8 эВ.